氮化镓具有优异电子迁移率、更高击穿电压及良好导热性的特性，使其非常适合于要求高开关能效的功率器件及射频(RF)器件。如今，基于氮化镓的功率器件成本过高，不适合大批量制造，因为它们使用非标准生产工艺在小半径的晶圆上制造。
imec的广泛规模研究项目着重于开发200 mm晶圆上的硅基氮化镓技术，及降低氮化镓器件成本和提升性能。imec汇聚领先集成器件制造商(IDM)、晶圆代工厂、化合物半导体公司、设备供应商及衬底供应商，已经卓有成效地取得重大技术进步。
2011年，imec的研究项目成功地生产出200 mm硅基氮化镓晶圆，该工艺让标准高生产率200 mm晶圆厂随手可得。此外，imec开发了兼容于标准CMOS工艺及工具的制造工艺，这是高性价比工艺的第二个先决条件。
安森美半导体高级副总裁兼首席技术官(CTO) Hans Stork说：“身为提供宽广阵容高能效器件的全球20大半导体供应商之一，安森美半导体氮化镓技术研究已持之多年，如今正在公司的比利时Oudenaarde生产厂建设氮化镓工艺线。与imec合作，将巩固我们现有的市场地位，并将可帮助我们为客户增加有竞争力的前沿技术。我们期待与想法相近的公司联盟协作，在此领域进行前瞻性研究。”
imec智能系统及能源技术副总裁Rudi Cartuyvels说：“我们的硅基氮化镓联合项目持续出现非凡进展，不断推动降低生产成本。安森美半导体最新加盟成为策略项目合作伙伴，进一步推进我们的集体专知。充分利用联合研究将帮助我们克服迈向经济的大批量制造的下一个关卡，最终将氮化镓功率器件面市。”