日期:2012-09-28 09:20
近几年来III族氮化物（III-Nitride）高亮度发光二极体（High Brightness Light EmissiON Diode; HB-LED）深获广大重视，目前广泛应用于交通号志、LCD背光源及各种照明使用上。基本上，GaN LED是以磊晶（Epitaxial）方式生长在蓝宝石基板（Sapphire SubSTrate）上，由于磊晶GaN与底部蓝宝石基板的晶格常数（Lattice Constant）及热膨胀系数（Coefficient of Thermo Expansion; CTE）相差极大，所以会产生高密度线差排（Thread DislocaTIon）达108~1010 / cm2,此种高密度线差排则会限制了GaN LED的发光效率。
此外，在HB-LED结构中，除