日期:2012-09-28 09:20
PPS LED的电流-输出光功率曲线之关系图。
磊晶后蓝宝石基板之蚀刻工艺
元件形状化之覆晶LED是使用高温磷酸来蚀刻蓝宝石基板的侧边（Sapphire Sidewall Etching; SSE），并使基板背面粗糙化（Sapphire Backside Roughing; SBR），以此双重方式来达到增加光萃取效果，其详细工艺流程如图8所示。首先在蓝宝石基板上磊晶制作GaN之LED结构，再将蓝宝石基板磨薄至200 m厚度，以利于后续芯片切割之进行，接着分别在元件上下面镀上二氧化硅（SiO2）当作蚀刻保护层，使用黄光微影工艺来定义蓝宝石基板被蚀刻的开口位置。接着将已设计图案化