日期:2012-09-28 09:20
刻，进而形成粗糙化的表面。在发光性能表现上，有制作元件形状化之覆晶LED比传统覆晶发光二极体的流明度增加了62%;在功率的表现上，于20mA的注入电流下，有形状化的LED输出光功率为14.2 mW,比传统覆晶结构LED的9.3 mW,增加了52%,如图10所示[4, 6]。
图8、元件形状化之覆晶LED工艺流程图。
图9、具形状化之覆晶LED结构示意图。
（a） 电流发光强度图。
（b） 电流输出功率图。
图10、有无形状化之覆晶LED的（a）电流发光强度与（b）电流输出功率比较图。
此外，针对芯片后段工艺，在雷射切割芯片后