日期:2012-09-28 09:20
后之残留物问题，也可应用高温磷酸蚀刻技术来解决此问题，因为使用雷射切割LED芯片后，会将基材烧出一道痕迹，因此在芯片边缘会流下焦黑的切割痕迹，这种切割残留物会影响LED亮度达5~10%,如图11所示为雷射切割LED芯片后之SEM照片。对于现今HB-LED对于亮度锱铢必较之情形，亦有业界于雷射切割后，接着使用高温磷酸来进行蓝宝石基板的侧边蚀刻（Sapphire Sidewall Etching; SSE），以去除雷射切割后的焦黑残留物，进而增进HB-LED的发光效率。
图11、雷射切割LED芯片后之SEM照片。
高温磷酸湿式蚀刻工艺设备在制作上，必须考虑的