利用湿式蚀刻工艺提高LED光萃取效率之产能与良率的方法
日期:2012-09-28 09:20
种被局限的光有可能会被较厚的基板所吸收。此外,由于基板之电子与电洞对,会因基板品质不良或效率较低,导致有较大机率产生非辐射复回(Recombine Non-RadiativELy),进而降低LED效率。所以如何从半导体之主动区萃取光源,以进而增加光萃取效率(Light Extraction Efficiency),乃成为各LED制造商最重要的努力目标。

目前有两种方法可增加LED光之萃取效率:(1)第一种方法是在LED磊晶前,进行蓝宝石基板的蚀刻图形化(Pattern Sapphire Substrate; PSS);(2)第二种方法是在LED磊晶后,进行蓝宝石基板的侧边蚀刻(Sapphire Side
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