日期:2012-09-28 09:20
率，因为藉由基板表面几何图形之变化，可以改变LED的散射机制，或将散射光导引至LED内部，进而由逃逸角锥中穿出。目前使用单步骤无光罩乾式蚀刻技术（Maskless Dry Etching）来加工蓝宝石（Sapphire）基板，虽然可以改善内部量子效率（Internal Quantum Efficiency）和光萃取率（Light Extraction Efficiency），然而由于蓝宝石基板表面非常坚硬，乾式蚀刻会损伤蓝宝石表面，使得线差排（Thread Dislocation）由基板逐渐延伸到顶端的GaN磊晶层，因而影响到LED之磊晶品质，所以一般都倾向使用湿式化学蚀刻方式。有关蓝宝石基板之湿式化学蚀