日期:2012-09-28 09:20
刻图形化，以及LED之前段工艺流程，说明如下：
A.首先利用黄光微影工艺在蓝宝石基板上制作出所需的图案。
B.利用电浆辅助化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PE-CVD）系统在蓝宝石基板上方沉积SiO2,进行光组去除后，即可形成间隔3m的阵列图案。
C.利用SiO2当作蚀刻遮罩层，在温度280℃的高温磷酸与硫酸混合液中蚀刻蓝宝石基板，以形成图案化结构。图2为使用湿式化学蚀刻蓝宝石基板（PSS）后之横截面示意图；图3为光学显微镜照片。
D.使用MO-CVD生长GaN-LED于蚀刻图案化之蓝宝石基板C（0001）面上，