日期:2012-09-28 09:20
，GaN-LED结构由下而上，包括：GaN成核层、未掺杂的GaN层、硅掺杂的N-type GaN层、MQW层及P-type GaN层。
E.使用标准微影技术及乾式蚀刻来蚀刻部份的P-type GaN层，以露出N-type GaN层，进而定义发光区域及电极。
F.沉积ITO透明导电层，接着沉积Cr/Au金属层，在200℃氮气气氛下进行合金化，以制作P电极与N电极。图4为GaN LED之前段工艺流程图；图5为经过化学湿式蚀刻图形化蓝宝石基板（PSS），接着生长GaN磊晶层的LED结构图。
图2、湿式化学蚀刻蓝宝石基板后（PSS）之横截面示意图。
图3、湿式化学蚀刻蓝宝石基板