日期:2012-09-28 09:20
后（PSS）之光学显微镜照片。
图4、GaN LED前段工艺流程图。
图5、湿式蚀刻图形化蓝宝石基板后，接着生长GaN磊晶层的LED结构。
如图6所示，经湿式化学蚀刻图形化之蓝宝石基板，基于表面晶格特性，所以会被蚀刻出呈57o倾斜的{1-102}R面（R Plane），此种倾斜R面可以大大地增加光的萃取效率。Lee等人利用湿式蚀刻图形化蓝宝石基板制作GaN LED并*估其效能，图7为传统LED和PPS LED的电流-输出光功率曲线之关系图，在20mA操作电压下，传统LED和PPS LED的输出功率分别为7.8和9 mW,PPS LED的输出功率为传统LED的1.15~1.3倍。此