利用湿式蚀刻工艺提高LED光萃取效率之产能与良率的方法
日期:2012-09-28 09:20
外,在20mA操作电压下,传统LED和PPS LED的外部量子效率(External Quantum Efficiency)分别为14.2%和1*%,PPS LED的外部量子效率也较传统LED高1.15倍。因此PPS技术不只利用蓝宝石基板的特殊几何结构,将光导引至逃逸角锥(Escape Cone)进而发射出去,以增加LED的外部量子效率外,湿式蚀刻PPS结构也可降低Sapphire基板之差排缺陷密度,以进而提高GaN的磊晶品质[3, 4, 5].



图6、经湿式蚀刻图形化蓝宝石基板,其表面因晶格特性,会被蚀刻出成57o倾斜的的{1-102}面(R Plane),可以大大增加光的萃取效率。



图7、传统的LED和
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