日期:2012-10-11 08:31
本区发过贴.功率管的功耗分成两部分,开关损耗和导通损耗.要注意,大多数场合特别是LED市电驱动应用,开关损害要远大于导通损耗.开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以可以从以下几个方面解决:a:不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大.如1N60的cgs为250pF左右,2N60的cgs为350pF左右,5N60的cgs为1200pF左右,差别太大了,选择功率管时,够用就可以了.b:剩下的就是频率和芯片驱动能力了,这里只谈频率的影响.频率与导通损耗也成正比,所以功率管发热时,首先要想