日期:2012-10-11 09:27
安森美半导体(ON Semiconductor)加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率器件。
氮化镓具有优异电子迁移率、更高击穿电压及良好导热性的特性，使其非常适合于要求高开关能效的功率器件及射频(RF)器件。如今，基于氮化镓的功率器件成本过高，不适合大批量制造，因为它们使用非标准生产工艺在小半径的晶圆上制造。
imec的广泛规模研究项目着重于开发200 mm晶圆上的硅基氮化镓技术，及降低氮化镓器件成本和提升性能。imec汇聚领先集成器件制造商(IDM)、晶圆代