国内高效氮化物LED材料及芯片关键技术取得重要成果_技术交流

国内高效氮化物LED材料及芯片关键技术取得重要成果
日期:2012-10-22 16:34
实现了150lm/w以上的LED高效发光;成功制备了国内首个300nm以下室温荧光发光的深紫外UVLED器件，并实现了器件功率的毫瓦级输出;研制开发了国内首台48片MOCVD样机，经第三方检测，设备外延的氮化镓材料，各项性能指标达到了同类国际MOCVD设备的水平。