日期:2012-05-18 15:03
面数微米以内产生。
LED大都采用直接带隙材料，这样可以使电子直接从导带跃迁到价带与空穴复合而发光，有很高的效率。
理论和实践证明，发光波长与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，Eg的单位为电子伏特（eV）。
Eg=hv/q=hc/（q）
=hc/（qEg）1240/Eg（nm） .
式中：v为电子运动速度；h为普朗克常数；q为载流子所带电荷；c为光速。
若能产生可见光（波长在380nm紫光~780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。
三、LED的特性
1、极限参数的意义
（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大