日期:2013-03-13 14:19
在最近美国举行的2013 Strategies in Light会议上，晶能光电CTO赵汉民博士报告了硅基LED的最新进展情况。在题目为Commercialization of High Power LEDs based on GaN/Si technology的报告中，他从产品的工艺、种类、性能、应用和特点等方面详细介绍了晶能光电硅基大功率LED芯片的最新研究进展及量产情况，指出晶能光电作为目前全球最早实现硅基LED芯片量产的公司，将打破蓝宝石衬底和碳化硅衬底LED芯片的垄断局面，为高效率低成本的半导体照明做出自己的贡献。报告重点介绍了包括28*28mil、35*35mil、45*45mil和55*55mil在内的四款硅