日期:2013-03-20 10:57
碳化硅（SiC）功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统，科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系统尺寸。全新科锐1200V MOSFET器件可提供业界领先的功率密度及转换效率，而每安培成本仅为上一代产品的50%。更高的性价比使得新型碳化硅MOSFET器件可为OEM厂商带来更低的系统成本，并且由于基于碳化硅的系统尺寸更小、重量更轻，能够提高效率并降低安装成本，从而为最终用户节省额外费用。
德国弗莱堡 Fraunhofer研究所著名业界专家Bruno Burger