日期:2013-04-22 10:58
和压降
VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
VAGC---正向自动增益控制电压
Vn(p-p)---输入端等效杂讯电压峰值
V n---杂讯电压
Cj---结（极间）电容， 表示在二极体两端加规定偏压下，锗检波二极体的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度S数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比