日期:2013-04-26 10:50
种LED的反向击穿电压VR也不同。
B . C-V特性
LED的芯片有99mil (250250um)，1010mil，1111mil (280280um)，1212mil (300300um)，故pn结面积大小不一，使其结电容（零偏压）Cn+pf左右。
C-V特性呈二次函数关S（如图2）。由1MHZ交流信号用C-V特性测试仪测得。
C.最大允许功耗PF m
当流过LED的电流为IF、管压降为UF则功率消耗为P=UFIF
LED工作时，外加偏压、偏流一定促使载流子复合发出光，还有一部分变为热，使结温升高。若结温为Tj、外部环境温度为Ta，则当Tj＞Ta时，内部热量借助管座向外传热