日期:2013-04-27 10:25
极特先进科技公司(GT Advanced Technologies；GTAT)与Soitec宣布一项开发及授权合约，根据该协议，GT将与Soitec共同开发和商品化用于生产低成本氮化镓(GaN)模板基板的大容量多晶圆高效氢化物气相磊晶(HVPE)系统。这套 HVPE 系统预期可降低 LED 生产成本，并加速在商业和住宅照明领域中的应用。
这套HVPE系统将用于生产 LED 或其他高成长产业(例如电力电子业)所用基板的优质 GaN 磊晶薄膜。与传统的MOCVD制程相较， HVPE 系统可能带来更高的成长率并改进材料特性，可望显著降低制程成本，同时提高设备性能。协议中规定的专利技术