日期:2013-05-02 09:45
GaN层。在一般的生产工序中，这些晶体层全部采用MOVPE法实现生长。MOVPE法虽然适用于需要原子级膜厚控制的活性层的生长，但为了生长出所需厚度的优质n型GaN层，则需要花费较长的时间。因此，白色LED磊晶的生长次数每天最多1～2次，如何实现高效率的生产方式，一直是个待解决的难题。
为了解决这一课题，该公司开发出了采用MOVPE法生长的底层基板所使用的GaN范本。GaN范本采用在蓝宝石基板上生长n型GaN层的结构。透过采用GaN范本，LED制造商将不再需要n型GaN缓冲层的生长制程，生长所需要的时间也将降至原来的一半左右。另外，采用该