日期:2013-05-02 09:45
公司生产的GaN范本，还可以同时实现低阻化和高结晶性，也同样适用于需要较大电流的大功率LED。
之前，该公司曾开发出用于蓝紫色雷射器等的单晶GaN自支撑基板，并为了实现该产品的生产，促进了采用HVPE法的独有结晶生长技术的发展。这次，该公司凭借此项独有的生长技术，全新开发出高品质GaN范本的高效率生产技术及设备，建构了完备的量产体制。
GaN范本的主要特点:?采用在GaN自支撑基板的开发过程中累积的生长技术，实现了高结晶性和高表面品质。?具备同样适用于大功率芯片键合型LED等的低电阻n型GaN缓冲层。?支援表面平坦的