日期:2013-05-02 10:41
数；电容比
Q---优值（品质因素）
vz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
PB---承受脉冲烧毁功率
PFT（AV）---正坏纪ㄆ骄纳⒐β
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正坏纪ㄗ茉萏纳⒐β
Pd---耗散功率
PG---门极平均功率
PGM---门极峰值功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PM---额定功率。硅二极体结温不高于150度所能承受的最大功率