日期:2013-05-06 10:14
料不易经由蚀刻的方式制作电路图形，所以利用拔起（Lift-off）微影制程，得到突起的（Overhang）光阻图形，使金属在蒸镀过程中不会连续性满布在光阻剂上，再用去光阻剂的方式将未遭金属布盖的光阻部份拔起，完成金属电极的图案。
半导体制程常用的正型光阻剂，在光学曝光方式下，光阻剂上层接受能量较下层光阻高，使得正型光阻剂成像大部份图形为上窄下宽，无法经一次曝光方式即得到Overhang的图形，而负型光阻剂的成像恰好与正型光阻剂图像相反，所以负型光阻剂是lift-off制程的最佳选择。