日期:2013-06-25 10:46
香港科技大学（The Hong Kong University of Science and Technology，HKUST）近日研发出一种高性能的硅衬底绿黄氮半导体LED。研究人员称其565nm黄色LED是第一款硅衬底多量子阱(MQW)设备。
在2英寸的硅片上，研究人员研究人员使用金属有机气相沉积(MOCVD)技术来生成最初的模板，该模板由氮化铝(AlN)成核、8对氮化铝/氮化镓(AlN/GaN)层组成，以创造出一个超晶格(SL)(用作应力平衡夹层)和一个2mGaN缓冲层。研究人员首先对SiO2层和铟锡氧化物(ITO)层进行沉淀，再利用氯化氢(HCL)酸溶液对ITO进行蚀刻，最后使用等离子蚀刻法来形成二