日期:2013-06-25 10:46
氧化硅(SiO2)纳米棒。纳米棒的密度为2x109/cm2，表面覆盖度为35%;其作为GaN再生长的遮罩，可降低位错密度并提高晶体质量。
研究人员随后准备适用于发射黄色(565nm)和绿色(505和530nm)光的材料，以制作300mx300mLED芯片。如预期一样，随着波长增加，光输出功率(LOP)逐渐下降。在20mA条件下，505nm波长的输出功率为1.18mW，530nm和565nm波长的输出功率分别为0.30mW和74W。对于505nm、530nm和565nm设备，光输出功率分别在7.60mW(200mA)、2.72mW(180mA)和0.52mW(160mA)条件下达到饱和状态。
据称，这是人们首次在硅衬底上成功制