日期:2017-05-28 06:24
991年获得氮化镓成长的关键技术。1993年，中村教授成功凭借物理手段在LED照明技术的基础上研发了高亮度青色发光二极管。1995年，他开始专注于研发蓝色极光二极管，InGaN/氮化镓青色半导体激光的室温脉冲振荡的实现，又于1997年转向紫外LED的研发。在美任教期间，中村教授与赤崎勇、天野浩同时研究青色发光半导体设备的开发，并在水提取氢的技术上有所突破。2006年5月，中村修二博士与加州大学巴巴拉分校(UCSB)研究小组制造出第一款无极性(non-polar)和半极性(semi-polar)GaN 衬底LED，革新了现行发光设备的设计开创理念。
中村修二教授的