日期:2012-07-02 16:01
的外延生长技术和多量子阱结构，其特点是高光功率输出、优异的光谱特性。光谱特性是指发光波长的稳定和极窄的光谱半高宽。发光二极管中心波长随注入电流变化是外延片材料制备过程中遇到的关键难题之一。众多商品化的LED芯片发光的中心波长一般随注入电流增大而造成发光波长的严重不稳定性。此外，LED芯片电致发光光谱的半高宽也是衡量外延片质量的重要参数之一，半高宽越窄，发光颜色越纯。高质量的InGaN/GaN多量子阱有源区生长是GaN材料研究中的难点，也是各研究小组和生产厂商的核心技术。采用了新型量子阱结构的芯片，在注入电流由2~12