美国能源部选定Soraa引领GaN基质研发项目
日期:2012-08-10 15:50
更高的LED和其他行业中。对基质和外延层使用相同的材料能更好地与水晶结构相结合。Soraa表示,这能够驱动更高电流的LED,而实现更低的偏差。

Soraa指出,半导体行业中的其他分部使用称之为同底基质的材料,如用于制造微处理器等大量数字IC的硅对硅(silicon-on-silicon)技术。在LED和其他应用中采用GaN-on-GaN技术已经受到了基质高成本的阻挠。ARPA-E机构希望利用此次机会研发出美国开发的解决方案。

Soraa创始人Shuji Nakamura在其研发高功率LED工作中具有丰富的GaN经验。Shuji Nakamura表示,我已经花费数十年的时间来研究LED中
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