新一代功率半导体崭露头角
日期:2012-07-13 13:06
流子迁移率高等特点。

在GaN和SiC功率元件中,率先产品化的是SiC。尤其是SiC二极管的利用今后似会迅猛增加。

除了2001年最初实现SiC二极管产品化的德国英飞凌科技外,美国科锐和意法合资公司意法半导体等厂商也已经推出了产品。在日本,罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了SiC二极管。很多企业在开发肖特基势垒二极管(SBD),科锐等部分企业还推出了组合肖特基结和pn结的JBS(junction barrier schottky)构造二极管。

基板供求情况好转从事SiC二极管的企业之所以增加,是由于制作功率元件不可缺少的SiC基板的供应状况有了好转。
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