日期:2012-08-08 09:06
高内量子效率和外量子效率。
（1）衬底表面粗化及非极性衬底.
采用纳米级图型衬底、取向型图型衬底或非极性、半极性衬底生长GaN，减少位错和缺陷密度及极性场影响，提高内量子效率［1］。
（2）广义同质衬底.
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采用HVPE（氢化物液相外延）在Al2O3蓝宝石衬底上生长GaN，作为混合同质衬底GaN/Al2O3，在此基础上外延生长GaN，可极大地降低位错密度达106～107cm-2，并较大地提高内量子效率。日亚、Cree及我国北大均在研发之中［2］。
（3）改进量子阱结构.
控制In组分的变化方式和变化量、优化量子阱结构提高电子