日期:2012-08-09 09:04
受客户好评。在这一IT及消费类电子产品领域，估计今后数年内GaN器件的销售额将持续占据50%以上的比例。
可开辟其他需求的用途方面，额定峰值电压估计在1200V左右。虽说GaN器件可在价格较低的硅基板上形成，但同样可在高温下工作的、具有高电子迁移率的SiC(碳化硅)这一竞争对手也不容忽视。虽然GaN的成本最多可比SiC低40%，但对于600V的GaN器件而言，在最初会带来很大影响的太阳能逆变器市场上，必须要战胜已普及的SiC。如果能战胜SiC的话，600V的GaN器件便有望在太阳能发电逆变器市场上扮演重要角色，延续其在UPS(不间断电源)及纯电动