日期:2012-08-16 09:17
平方毫米，这将促使衬底产量从2011年的800万片（2英寸）增长至2018年3950万片（2英寸），复合年增长率为26%。
三年间GaN LED产能扩大20倍 降低成本是重点
在过去的三年里，中国购买GaN（氮化镓）MOCVD反应器产能增长了20倍。尤以2010年和2011年的增长最为迅猛，2012年第一季度GaN LED产能是2009年第四季度20倍。
2011年，LED在电视背光应用领域不尽如人意，一方面光效提高减少了背光所需LED数量，另一方面市场迎来了主要来自亚洲的一些新入者，致使产能过剩并导致激烈的价格战。去年全年封装LED的销售量比预期降低了30%。