中国科学院突破高效LED芯片及材料关键技术_新闻

中国科学院突破高效LED芯片及材料关键技术
日期:2012-09-05 09:26
及封装等关键技术，实现了150lm/w以上的LED高效发光；成功制备了中国首个300nm以下室温荧光发光的深紫外UVLED器件，并实现了器件功率的毫瓦级输出；研制开发了中国首台48片MOCVD样机，经第三方检测，设备外延的氮化镓材料，各项性能指标达到了同类国际MOCVD设备的水平。