中科院传喜报 LED材料及芯片关键技术取得突破_新闻

中科院传喜报 LED材料及芯片关键技术取得突破
日期:2012-09-05 16:50
的LED高效发光；成功制备了中国首个300nm以下室温荧光发光的深紫外UVLED器件，并实现了器件功率的毫瓦级输出；研制开发了中国首台48片MOCVD样机，经第三方检测，设备外延的氮化镓材料，各项性能指标达到了同类国际MOCVD设备的水平。