日期:2012-09-26 10:05
2%作为光能输出到了外部。剩余的68%转变为热能。
今后3年将提高100lm/W。
发光效率在2003年之前一直以每年数lm/W的速度缓慢提高。在提高发光效率时,最初未改变荧光体和封装,而是致力于改进芯片技术。具体而言,进行了诸如改善蓝色LED芯片所使用的GaN类半导体 结晶的MOCVD 结晶成长技术等。
从2004年开始,发光效率以每年10～20lm/W的速度提高。由此,从2004年的50lm/W到2008年的100lm/W,4年间提高了50lm/W。这种速度的实现,借助了将原来聚集于成膜技术的芯片技术改进扩展至了整个LED制造工艺那样的重大调整。另外,除了改进芯片技