透过将该产品用作“白色LED磊晶”的底层基板，可以大幅提高白色LED磊晶的生产效率及LED特性。因此，对于业界竞争十分激烈的白色LED制造商而言，该产品可望成为有效提升产业地位的解决方案。
近年来，白色LED以其节能、寿命长等显著优点，在以液晶面板背灯为代表的照明产品的需求正在急剧扩大。白色LED磊晶的基本结构是，先在蓝宝石基板上生长出一层10μm厚的n型GaN层，接着生长一层1μm厚的超薄活性层和p型GaN层。在一般的生产工序中，这些晶体层全部采用MOVPE法实现生长。MOVPE法虽然适用于需要原子级膜厚控制的活性层的生长，但为了生长出所需厚度的优质n型GaN层，则需要花费较长的时间。因此，白色LED磊晶的生长次数每天最多1～2次，如何实现高效率的生产方式，一直是个待解决的难题。
为了解决这一课题，该公司开发出了采用MOVPE法生长的底层基板所使用的GaN范本。GaN范本采用在蓝宝石基板上生长n型GaN层的结构。透过采用GaN范本，LED制造商将不再需要n型GaN缓冲层的生长制程，生长所需要的时间也将降至原来的一半左右。另外，采用该公司生产的GaN范本，还可以同时实现低阻化和高结晶性，也同样适用于需要较大电流的大功率LED。
之前，该公司曾开发出用于蓝紫色雷射器等的单晶GaN自支撑基板，并为了实现该产品的生产，促进了采用HVPE法的独有结晶生长技术的发展。这次，该公司凭借此项独有的生长技术，全新开发出高品质GaN范本的高效率生产技术及设备，建构了完备的量产体制。
GaN范本的主要特点:?采用在GaN自支撑基板的开发过程中累积的生长技术，实现了高结晶性和高表面品质。?具备同样适用于大功率芯片键合型LED等的低电阻n型GaN缓冲层。?支援表面平坦的蓝宝石基板及各种PSS。?支援直径2～6英寸芯片(8英寸芯片的开发正在计画中)。除以前开发出的GaN基板和GaN磊晶外，本公司这次又新增了GaN范本产品，今后将进一步强化和扩展GaN产品线，以提供可满足客户广泛需求的化合物半导体材料。同时，今年的5月13～16日期间，公司将参加在美国纽奥良市举办的CS Mantech，进行有关GaN范本的说明展示。
