香港科技大学（The Hong Kong University of Science and Technology，HKUST）近日研发出一种高性能的硅衬底绿黄氮半导体LED。研究人员称其565nm黄色LED是第一款硅衬底多量子阱(MQW)设备。
在2英寸的硅片上，研究人员研究人员使用金属有机气相沉积(MOCVD)技术来生成最初的模板，该模板由氮化铝(AlN)成核、8对氮化铝/氮化镓(AlN/GaN)层组成，以创造出一个超晶格(SL)(用作应力平衡夹层)和一个2μmGaN缓冲层。研究人员首先对SiO2层和铟锡氧化物(ITO)层进行沉淀，再利用氯化氢(HCL)酸溶液对ITO进行蚀刻，最后使用等离子蚀刻法来形成二氧化硅(SiO2)纳米棒。纳米棒的密度为2x109/cm2，表面覆盖度为35%;其作为GaN再生长的遮罩，可降低位错密度并提高晶体质量。
研究人员随后准备适用于发射黄色(565nm)和绿色(505和530nm)光的材料，以制作300μmx300μmLED芯片。如预期一样，随着波长增加，光输出功率(LOP)逐渐下降。在20mA条件下，505nm波长的输出功率为1.18mW，530nm和565nm波长的输出功率分别为0.30mW和74μW。对于505nm、530nm和565nm设备，光输出功率分别在7.60mW(200mA)、2.72mW(180mA)和0.52mW(160mA)条件下达到饱和状态。
据称，这是人们首次在硅衬底上成功制造出565nm黄色InGaN/GaNMQWLED，且505nmLED的光输出功率远远高于以往的硅LED设备。除了提高材料质量外，该机构研究人员相信纳米棒也可以增强光提取散射效应。
